FDS6670A, Транзистор полевой N-канальный 30В 13A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 13A |
| Сопротивление открытого канала: | 8 мОм |
| Мощность макс.: | 1Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 3В |
| Заряд затвора: | 30нКл |
| Входная емкость: | 2220пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOIC8 |
| Наименование: | FDS6670A |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 2500 шт. |
Описание
FDS6670A, Транзистор полевой N-канальный 30В 13A — электронный компонент категории электронные компоненты. Производитель: ON Semiconductor.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 30В
- Нормоупаковка: 2500 шт.
- Описание Eng: MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
- Особенности: Logic Level Gate
- Пороговое напряжение включения макс.: 3В
- Производитель: ON Semiconductor
- Сопротивление открытого канала: 8 мОм
- Тип монтажа: Surface Mount