CSD17313Q2-Q1, Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 5 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Texas Instruments |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 5A |
| Сопротивление открытого канала: | 30 мОм |
| Мощность макс.: | 2.3Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 1.8В |
| Заряд затвора: | 2.7нКл |
| Входная емкость: | 340пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SON6 |
| Наименование: | CSD17313Q2-Q1 |
| Производитель: | Texas Instruments |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 30V 5A 6SON |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт. |
Описание
Компонент CSD17313Q2-Q1, Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 5 А (Texas Instruments), категория электронные компоненты.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
- Ток стока макс.: 5A
- Входная емкость: 340пФ
- Заряд затвора: 2.7нКл
- Корпус: SON6
- Мощность макс.: 2.3Вт
- Наименование: CSD17313Q2-Q1
- Напряжение исток-сток макс.: 30В