Представляем вашему вниманию полевой транзистор MOSFET N-канала IPP110N20N3GXKSA1 от компании Infineon Technologies. Это надежный и высокопроизводительный компонент, подходящий для широкого спектра применений в электронике и силовой электронике.

Транзистор IPP110N20N3GXKSA1 обладает отличными характеристиками, которые делают его идеальным выбором для различных схем и устройств. Благодаря своим высоким рабочим параметрам, он может быть использован в качестве ключевого элемента в импульсных источниках питания, инверторах, регуляторах напряжения и многих других приложениях.

• Напряжение исток-сток макс.: 200В
• Ток стока макс.: 88A
• Тип транзистора: N-канал
• Тип монтажа: Through Hole
• Корпус: TO-220
• Вес брутто: 3.38 г
• Описание Eng: MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
• Тип упаковки: Tube (туба)
• Нормоупаковка: 50 шт

Транзистор IPP110N20N3GXKSA1 широко используется в различных областях электроники, таких как источники питания, инверторы, регуляторы напряжения, системы управления двигателями и многих других приложениях, где требуются высокая мощность, надежность и эффективность. Благодаря своим характеристикам, он является отличным выбором для инженеров и разработчиков, стремящихся создавать современные, энергоэффективные и надежные электронные устройства.