FQB19N20LTM, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 21А 140 мОм, 3.13Вт
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 200В |
| Ток стока макс.: | 21A |
| Сопротивление открытого канала: | 140 мОм |
| Мощность макс.: | 3.13Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2В |
| Заряд затвора: | 35нКл |
| Входная емкость: | 2200пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | D2Pak (TO-263) |
| Вес брутто: | 1.2 г. |
| Наименование: | FQB19N20LTM |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 200V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
| Тип упаковки: | Amunition Pack (лента в коробке) |
| Нормоупаковка: | 800 шт |
Описание
FQB19N20LTM, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 21А 140 мОм, 3.13Вт - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 140 мОм Мощность макс.: 3.13Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Производитель: ON Semiconductor. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.