SI2312BDS-T1-GE3, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 3.9A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Vishay |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 20В |
| Ток стока макс.: | 3.9A |
| Сопротивление открытого канала: | 31 мОм |
| Мощность макс.: | 750мВт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 850mВ |
| Заряд затвора: | 12нКл |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOT23-3 |
| Вес брутто: | 0.04 г. |
| Наименование: | SI2312BDS-T1-GE3 |
| Производитель: | Vishay |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт |
Описание
Компонент SI2312BDS-T1-GE3, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 3.9A - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.
Ключевые характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.9A Сопротивление открытого канала: 31 мОм Мощность макс.: 750мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: Vishay. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.
Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.