IRL530NPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 17А 79Вт, 0.1 Ом
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 100В |
| Ток стока макс.: | 17A |
| Сопротивление открытого канала: | 100 мОм |
| Мощность макс.: | 79Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2В |
| Заряд затвора: | 34нКл |
| Входная емкость: | 800пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220AB |
| Вес брутто: | 2.8 г. |
| Наименование: | IRL530NPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию высококачественный полевой транзистор IRL530NPBF от производителя Infineon Technologies. Этот N-канальный MOSFET транзистор с высоким напряжением и током предназначен для широкого спектра применений в электронной промышленности. Устройство обладает отличными характеристиками и надежностью, что делает его отличным выбором для проектировщиков и инженеров.
Основные технические характеристики этого транзистора включают в себя максимальное напряжение сток-исток 100В, максимальный ток стока 17А, сопротивление открытого канала всего 100 мОм и максимальную мощность 79Вт. Транзистор имеет логический уровень управления затвором и отличается малым зарядом затвора в 34нКл и небольшой входной емкостью 800пФ.
- Напряжение исток-сток макс.: 100В
- Ток стока макс.: 17А
- Сопротивление открытого канала: 100 мОм
- Мощность макс.: 79Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Особенности: Logic Level Gate
- Пороговое напряжение включения макс.: 2В
- Заряд затвора: 34нКл
- Входная емкость: 800пФ
- Тип монтажа: Through Hole
- Корпус: TO-220AB
- Вес брутто: 2.8 г
- Описание Eng: MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
- Тип упаковки: Tube (туба)
- Нормоупаковка: 50 шт
Транзистор IRL530NPBF находит широкое применение в различных областях электроники, таких как силовые преобразователи, источники питания, инверторы, двигатели и другие устройства, требующие надежных и мощных коммутирующих элементов. Благодаря своим характеристикам, он является отличным выбором для инженеров, стремящихся создавать эффективные и надежные электронные системы.