• Воронеж, Московский проспект, 114В, оф. 408

IRL2203NPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 100А 130Вт, 0.007 Ом

Нет изображения
Категория:Одиночные MOSFET транзисторы
Производитель:Infineon Technologies
Наличие:В наличии
Напряжение исток-сток макс.:30В
Ток стока макс.:116A
Сопротивление открытого канала:7 мОм
Мощность макс.:180Вт
Тип транзистора:N-канал
Особенности:Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:60нКл
Входная емкость:3290пФ
Тип монтажа:Through Hole
Корпус:TO-220AB
Вес брутто:2.92 г.
Наименование:IRL2203NPBF
Производитель:Infineon Technologies
Описание Eng:MOSFET N-CH Si 30V 116A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Тип упаковки:Tube (туба)
Нормоупаковка:50 шт

Описание

Представляем вашему вниманию мощный N-канальный полевой транзистор MOSFET IRL2203NPBF от известного производителя Infineon Technologies. Этот транзистор отличается высокой производительностью, надежностью и широким спектром применения в различных электронных устройствах.

IRL2203NPBF - это высокопроизводительный транзистор с рабочим напряжением до 30 В и максимальным током стока до 116 А. Благодаря низкому сопротивлению открытого канала всего 7 мОм, он способен коммутировать значительные мощности до 180 Вт. Транзистор имеет встроенную логическую схему управления затвором, что позволяет использовать его в схемах с логическим уровнем управления.

  • Напряжение исток-сток макс.: 30В
  • Ток стока макс.: 116A
  • Сопротивление открытого канала: 7 мОм
  • Мощность макс.: 180Вт
  • Тип транзистора: N-канал
  • Особенности: Logic Level Gate
  • Пороговое напряжение включения макс.: 1В
  • Заряд затвора: 60нКл
  • Входная емкость: 3290пФ
  • Тип монтажа: Through Hole
  • Корпус: TO-220AB
  • Вес брутто: 2.92 г.

Данный транзистор MOSFET IRL2203NPBF находит широкое применение в различных областях электроники, таких как импульсные источники питания, сварочные аппараты, промышленная автоматика, электрический транспорт и многое другое. Его высокая мощность, низкое сопротивление и возможность управления логическим уровнем сигнала делают его незаменимым компонентом в современных высокопроизводительных схемах.