IRLML2803TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 1.2А 0.54Вт, 0.25 Ом
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 1.2A |
| Сопротивление открытого канала: | 250 мОм |
| Мощность макс.: | 540мВт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 1В |
| Заряд затвора: | 5нКл |
| Входная емкость: | 85пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | Micro3™ (SOT-23/TO-236AB) |
| Вес брутто: | 0.05 г. |
| Наименование: | IRLML2803TRPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 30V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию полевой транзистор IRLML2803TRPBF от компании Infineon Technologies. Это надежный и высокопроизводительный N-канальный MOSFET-транзистор, который идеально подходит для широкого спектра электронных устройств и схем.
Данный транзистор отличается низким сопротивлением открытого канала, высокой скоростью переключения и способностью работать при напряжении до 30 В. Его компактный корпус Micro3™ (SOT-23/TO-236AB) делает его оптимальным выбором для применения в современных миниатюрных электронных устройствах.
- Напряжение исток-сток макс.: 30В
- Ток стока макс.: 1.2A
- Сопротивление открытого канала: 250 мОм
- Мощность макс.: 540мВт
- Тип транзистора: N-канал
- Особенности: Logic Level Gate
- Пороговое напряжение включения макс.: 1В
- Заряд затвора: 5нКл
- Входная емкость: 85пФ
- Тип монтажа: Surface Mount
- Корпус: Micro3™ (SOT-23/TO-236AB)
- Вес брутто: 0.05 г.
IRLML2803TRPBF находит широкое применение в различных электронных схемах и устройствах, таких как импульсные источники питания, DC/DC-преобразователи, драйверы двигателей, усилители мощности и многое другое. Его высокая надежность и производительность делают его идеальным выбором для инженеров, стремящихся создавать эффективные и надежные электронные системы.