IRL8113PBF, Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 105 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 105A |
| Сопротивление открытого канала: | 6 мОм |
| Мощность макс.: | 110Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2.25В |
| Заряд затвора: | 35нКл |
| Входная емкость: | 2840пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220 |
| Вес брутто: | 3.5 г. |
| Наименование: | IRL8113PBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 30V 105A TO-220AB |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт. |
Описание
Техническое описание: IRL8113PBF, Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 105 А. Категория: электронные компоненты. Производитель: Infineon Technologies.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Нормоупаковка: 50 шт.
- Описание Eng: MOSFET N-CH 30V 105A TO-220AB
- Особенности: Logic Level Gate
- Пороговое напряжение включения макс.: 2.25В
- Производитель: Infineon Technologies
- Сопротивление открытого канала: 6 мОм
- Тип монтажа: Through Hole
- Тип транзистора: N-канал