IRF8113TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 17.2A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 17.2A |
| Сопротивление открытого канала: | 5.6 мОм |
| Мощность макс.: | 2.5Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2.2В |
| Заряд затвора: | 36нКл |
| Входная емкость: | 2910пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Наименование: | IRF8113TRPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 4000 шт |
| Корпус: | SO-8 |
Описание
IRF8113TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 17.2A - высокопроизводительный электронный компонент, разработанный для использования в современных электронных устройствах и систем.
Производитель: Infineon Technologies. Компонент отличается надёжностью и точностью параметров, что делает его идеальным выбором для профессиональных приложений.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 17.2A Сопротивление открытого канала: 5.6 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Применение: Используется в промышленных устройствах, системах управления, измерительном оборудовании и прочих высокотехнологичных приложениях.
Товар поставляется в оригинальной упаковке производителя, что гарантирует его качество и сохранность при доставке.