IRF540NPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 33А 140Вт, 0.052 Ом
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 100В |
| Ток стока макс.: | 33A |
| Сопротивление открытого канала: | 44 мОм |
| Мощность макс.: | 130Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 71нКл |
| Входная емкость: | 1960пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220AB |
| Вес брутто: | 2.8 г. |
| Наименование: | IRF540NPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию высококачественный полевой транзистор MOSFET N-канальный IRF540NPBF от Infineon Technologies. Этот транзистор отличается надежностью, широким диапазоном рабочих характеристик и универсальностью применения в различных электронных схемах.
Транзистор IRF540NPBF обладает впечатляющими техническими параметрами: максимальное напряжение сток-исток до 100В, ток стока до 33А, сопротивление открытого канала всего 44 мОм и максимальная рассеиваемая мощность 130Вт. Эти характеристики позволяют использовать данный транзистор в высокомощных приложениях, таких как импульсные источники питания, инверторы, сварочное оборудование, электродвигатели и многое другое.
- Напряжение исток-сток макс.: 100В
- Ток стока макс.: 33A
- Сопротивление открытого канала: 44 мОм
- Мощность макс.: 130Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 4В
- Заряд затвора: 71нКл
- Входная емкость: 1960пФ
- Тип монтажа: Through Hole
- Корпус: TO-220AB
- Вес брутто: 2.8 г
Транзистор IRF540NPBF находит широкое применение в различных областях электроники, таких как импульсные источники питания, инверторы, преобразователи напряжения, системы управления электродвигателями, усилители мощности и многое другое. Его надежность и высокие характеристики делают его незаменимым компонентом при разработке современных электронных устройств.