• Воронеж, Московский проспект, 114В, оф. 408

IRF540NPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 33А 140Вт, 0.052 Ом

Нет изображения
Категория:Одиночные MOSFET транзисторы
Производитель:Infineon Technologies
Наличие:В наличии
Напряжение исток-сток макс.:100В
Ток стока макс.:33A
Сопротивление открытого канала:44 мОм
Мощность макс.:130Вт
Тип транзистора:N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:71нКл
Входная емкость:1960пФ
Тип монтажа:Through Hole
Корпус:TO-220AB
Вес брутто:2.8 г.
Наименование:IRF540NPBF
Производитель:Infineon Technologies
Описание Eng:MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Тип упаковки:Tube (туба)
Нормоупаковка:50 шт

Описание

Представляем вашему вниманию высококачественный полевой транзистор MOSFET N-канальный IRF540NPBF от Infineon Technologies. Этот транзистор отличается надежностью, широким диапазоном рабочих характеристик и универсальностью применения в различных электронных схемах.

Транзистор IRF540NPBF обладает впечатляющими техническими параметрами: максимальное напряжение сток-исток до 100В, ток стока до 33А, сопротивление открытого канала всего 44 мОм и максимальная рассеиваемая мощность 130Вт. Эти характеристики позволяют использовать данный транзистор в высокомощных приложениях, таких как импульсные источники питания, инверторы, сварочное оборудование, электродвигатели и многое другое.

  • Напряжение исток-сток макс.: 100В
  • Ток стока макс.: 33A
  • Сопротивление открытого канала: 44 мОм
  • Мощность макс.: 130Вт
  • Тип транзистора: N-канал
  • Пороговое напряжение включения макс.: 4В
  • Заряд затвора: 71нКл
  • Входная емкость: 1960пФ
  • Тип монтажа: Through Hole
  • Корпус: TO-220AB
  • Вес брутто: 2.8 г

Транзистор IRF540NPBF находит широкое применение в различных областях электроники, таких как импульсные источники питания, инверторы, преобразователи напряжения, системы управления электродвигателями, усилители мощности и многое другое. Его надежность и высокие характеристики делают его незаменимым компонентом при разработке современных электронных устройств.