IRF7492TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 3.7А 2.5Вт, 0.079 Ом
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 200В |
| Ток стока макс.: | 3.7A |
| Сопротивление открытого канала: | 79 мОм |
| Мощность макс.: | 2.5Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2.5В |
| Заряд затвора: | 59нКл |
| Входная емкость: | 1820пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Вес брутто: | 0.12 г. |
| Наименование: | IRF7492TRPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-канал 200В/ 3.7А/2.5Вт/0.079 Ом HEXFRED |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 4000 шт |
| Корпус: | SO-8 |
Описание
Представляем вашему вниманию высокопроизводительный N-канальный полевой транзистор MOSFET от компании Infineon Technologies - IRF7492TRPBF. Этот транзистор обладает выдающимися характеристиками и широким спектром применения в электронной промышленности.
Ключевые особенности данного компонента:
- Высокое напряжение стока-истока: 200 В
- Максимальный ток стока: 3.7 А
- Низкое сопротивление открытого канала: 79 мОм
- Максимальная мощность: 2.5 Вт
- Тип транзистора: N-канальный
- Пороговое напряжение включения: 2.5 В
- Заряд затвора: 59 нКл
- Входная емкость: 1820 пФ
- Тип монтажа: поверхностный (SMD)
- Вес брутто: 0.12 г
- Тип упаковки: лента в катушке (Tape and Reel)
- Стандартная упаковка: 4000 шт
- Корпус: SO-8
Транзистор IRF7492TRPBF от Infineon Technologies находит широкое применение в различных электронных устройствах, таких как импульсные источники питания, преобразователи напряжения, регуляторы мощности, инверторы, а также в автомобильной электронике и промышленном оборудовании. Его высокая надежность и эффективность делают его отличным выбором для широкого спектра задач.