FDP6030BL, Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 40 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 40A |
| Сопротивление открытого канала: | 18 мОм |
| Мощность макс.: | 60Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 3В |
| Заряд затвора: | 17нКл |
| Входная емкость: | 1160пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220 |
| Вес брутто: | 3.5 г. |
| Наименование: | FDP6030BL |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 30V 40A TO-220 |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 800 шт. |
Описание
FDP6030BL, Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 40 А - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 40A Сопротивление открытого канала: 18 мОм Мощность макс.: 60Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: ON Semiconductor. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.