IRF6614TRPBF, Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 12.7 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 40В |
| Ток стока макс.: | 12.7A |
| Сопротивление открытого канала: | 8.3 мОм |
| Мощность макс.: | 2.1Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2.25В |
| Заряд затвора: | 29нКл |
| Входная емкость: | 2560пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Наименование: | IRF6614TRPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 40V 12.7A DIRECTFET |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 4800 шт. |
| Корпус: | DIRECTFET[тм] ST |
Описание
IRF6614TRPBF, Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 12.7 А - качественный компонент с точными параметрами и надёжной конструкцией.
Производитель: Infineon Technologies. Этот компонент соответствует международным стандартам качества и прошёл все необходимые испытания.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 12.7A Сопротивление открытого канала: 8.3 мОм Мощность макс.: 2.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Область применения: Компонент используется в электронных системах, требующих высокой надёжности и стабильной работы в различных условиях окружающей среды.