IRLR8103VPBF, Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 91 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 91A |
| Сопротивление открытого канала: | 9 мОм |
| Мощность макс.: | 115Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 3В |
| Заряд затвора: | 27нКл |
| Входная емкость: | 2672пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | DPAK/TO-252AA |
| Наименование: | IRLR8103VPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 30V 91A DPAK |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 75 шт. |
Описание
IRLR8103VPBF, Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 91 А - качественный компонент с точными параметрами и надёжной конструкцией.
Производитель: Infineon Technologies. Этот компонент соответствует международным стандартам качества и прошёл все необходимые испытания.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 91A Сопротивление открытого канала: 9 мОм Мощность макс.: 115Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Область применения: Компонент используется в электронных системах, требующих высокой надёжности и стабильной работы в различных условиях окружающей среды.