IRFIBF20GPBF, Полевой транзистор, N-канальный, 900 В, 1.2 А, 30 Вт, 8 Ом
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Vishay |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 900В |
| Ток стока макс.: | 1.2A |
| Сопротивление открытого канала: | 8 Ом |
| Мощность макс.: | 30Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 38нКл |
| Входная емкость: | 490пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220F |
| Вес брутто: | 3.5 г. |
| Наименование: | IRFIBF20GPBF |
| Производитель: | Vishay |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт. |
Описание
IRFIBF20GPBF, Полевой транзистор, N-канальный, 900 В, 1.2 А, 30 Вт, 8 Ом - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 1.2A Сопротивление открытого канала: 8 Ом Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Производитель: Vishay. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.