IRF7469TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 9A 8-Pin SOIC лента на катушке
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 40В |
| Ток стока макс.: | 9A |
| Сопротивление открытого канала: | 17 мОм |
| Мощность макс.: | 2.5Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 3В |
| Заряд затвора: | 23нКл |
| Входная емкость: | 2000пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOIC8 |
| Вес брутто: | 0.14 г. |
| Наименование: | IRF7469TRPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 40V 9A 8-Pin SOIC T/R |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 4000 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию полевой транзистор MOSFET N-канального типа IRF7469TRPBF от ведущего производителя Infineon Technologies. Этот надежный и высокопроизводительный компонент отвечает самым современным требованиям к электронным устройствам и найдет широкое применение в различных областях электроники.
Транзистор IRF7469TRPBF обладает отличными характеристиками, такими как высокое напряжение исток-сток до 40 В, большой ток стока до 9 А и малое сопротивление открытого канала всего 17 мОм. Благодаря этим параметрам он идеально подходит для использования в качестве ключевого элемента в импульсных источниках питания, мощных инверторах, регуляторах напряжения и других высокоэффективных схемах.
- Напряжение исток-сток макс.: 40В
- Ток стока макс.: 9А
- Сопротивление открытого канала: 17 мОм
- Мощность макс.: 2.5Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 3В
- Заряд затвора: 23нКл
- Входная емкость: 2000пФ
- Тип монтажа: Surface Mount
- Корпус: SOIC8
- Вес брутто: 0.14 г
Транзистор IRF7469TRPBF находит широкое применение в различных областях электроники, таких как импульсные источники питания, инверторы для солнечных панелей, регуляторы напряжения, а также в других мощных схемах управления и коммутации. Благодаря своим выдающимся характеристикам и надежной конструкции, этот компонент является отличным выбором для инженеров, проектирующих современные высокоэффективные электронные устройства.