• Воронеж, Московский проспект, 114В, оф. 408

IRF7469TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 9A 8-Pin SOIC лента на катушке

Нет изображения
Категория:Одиночные MOSFET транзисторы
Производитель:Infineon Technologies
Наличие:В наличии
Напряжение исток-сток макс.:40В
Ток стока макс.:9A
Сопротивление открытого канала:17 мОм
Мощность макс.:2.5Вт
Тип транзистора:N-канал
Особенности:Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:23нКл
Входная емкость:2000пФ
Тип монтажа:Surface Mount
Корпус:SOIC8
Вес брутто:0.14 г.
Наименование:IRF7469TRPBF
Производитель:Infineon Technologies
Описание Eng:MOSFET N-CH 40V 9A 8-Pin SOIC T/R
Тип упаковки:Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:4000 шт

Описание

Представляем вашему вниманию полевой транзистор MOSFET N-канального типа IRF7469TRPBF от ведущего производителя Infineon Technologies. Этот надежный и высокопроизводительный компонент отвечает самым современным требованиям к электронным устройствам и найдет широкое применение в различных областях электроники.

Транзистор IRF7469TRPBF обладает отличными характеристиками, такими как высокое напряжение исток-сток до 40 В, большой ток стока до 9 А и малое сопротивление открытого канала всего 17 мОм. Благодаря этим параметрам он идеально подходит для использования в качестве ключевого элемента в импульсных источниках питания, мощных инверторах, регуляторах напряжения и других высокоэффективных схемах.

  • Напряжение исток-сток макс.: 40В
  • Ток стока макс.: 9А
  • Сопротивление открытого канала: 17 мОм
  • Мощность макс.: 2.5Вт
  • Тип транзистора: N-канал
  • Пороговое напряжение включения макс.: 3В
  • Заряд затвора: 23нКл
  • Входная емкость: 2000пФ
  • Тип монтажа: Surface Mount
  • Корпус: SOIC8
  • Вес брутто: 0.14 г

Транзистор IRF7469TRPBF находит широкое применение в различных областях электроники, таких как импульсные источники питания, инверторы для солнечных панелей, регуляторы напряжения, а также в других мощных схемах управления и коммутации. Благодаря своим выдающимся характеристикам и надежной конструкции, этот компонент является отличным выбором для инженеров, проектирующих современные высокоэффективные электронные устройства.