Представляем вашему вниманию мощный полевой N-канальный MOSFET-транзистор IRF7807ZTRPBF от компании Infineon Technologies. Этот компонент отличается высокой надежностью, эффективностью и универсальностью применения в современной электронике.

Транзистор IRF7807ZTRPBF разработан по технологии Logic Level Gate, что позволяет управлять им низковольтными логическими сигналами. Корпус SOIC8 и лентовая упаковка обеспечивают простоту монтажа и удобство работы при массовом производстве.

• Напряжение исток-сток макс.: 30В
• Ток стока макс.: 11A
• Сопротивление открытого канала: 13.8 мОм
• Мощность макс.: 2.5Вт
• Тип транзистора: N-канал
• Пороговое напряжение включения макс.: 2.25В
• Заряд затвора: 11нКл
• Входная емкость: 770пФ
• Тип монтажа: Surface Mount
• Корпус: SOIC8
• Вес брутто: 0.25 г

Транзистор IRF7807ZTRPBF находит широкое применение в различных областях электроники: в импульсных источниках питания, преобразователях напряжения, инверторах, регуляторах мощности, а также в автомобильной и промышленной электронике. Его высокие характеристики и надежность делают его незаменимым компонентом при разработке современных электронных устройств.