• Воронеж, Московский проспект, 114В, оф. 408

IRF7465TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 1.9A 8-Pin SOIC лента на катушке

Нет изображения
Категория:Одиночные MOSFET транзисторы
Производитель:Infineon Technologies
Наличие:В наличии
Напряжение исток-сток макс.:150В
Ток стока макс.:1.9A
Сопротивление открытого канала:280 мОм
Мощность макс.:2.5Вт
Тип транзистора:N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:5.5В
Заряд затвора:15нКл
Входная емкость:330пФ
Тип монтажа:Surface Mount
Вес брутто:0.22 г.
Наименование:IRF7465TRPBF
Производитель:Infineon Technologies
Описание Eng:MOSFET N-CH 150V 1.9A 8-Pin SOIC T/R
Тип упаковки:Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:4000 шт
Корпус:SO-8

Описание

Представляем вашему вниманию полевой транзистор MOSFET N-канальный IRF7465TRPBF от Infineon Technologies. Этот высокопроизводительный компонент обладает рядом ключевых характеристик, делающих его востребованным в различных областях электроники.

Транзистор IRF7465TRPBF отличается высоким напряжением сток-исток до 150В и максимальным током стока до 1.9А. Благодаря низкому сопротивлению открытого канала в 280 мОм, он демонстрирует малые потери и эффективно справляется с задачами коммутации и управления мощными нагрузками. Его максимальная рассеиваемая мощность составляет 2.5Вт.

  • Напряжение исток-сток макс.: 150В
  • Ток стока макс.: 1.9A
  • Сопротивление открытого канала: 280 мОм
  • Мощность макс.: 2.5Вт
  • Тип транзистора: N-канал
  • Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В
  • Заряд затвора: 15нКл
  • Входная емкость: 330пФ
  • Тип монтажа: Surface Mount
  • Вес брутто: 0.22 г.
  • Описание Eng: MOSFET N-CH 150V 1.9A 8-Pin SOIC T/R
  • Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
  • Нормоупаковка: 4000 шт
  • Корпус: SO-8

Транзистор IRF7465TRPBF находит широкое применение в различных электронных устройствах и системах, требующих надежного и эффективного управления мощными нагрузками. Его можно встретить в импульсных источниках питания, электродвигателях, инверторах, преобразователях напряжения и других схемах силовой электроники. Благодаря своим характеристикам, он является отличным выбором для проектирования высокопроизводительных, энергоэффективных и компактных электронных решений.