IRF7465TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 1.9A 8-Pin SOIC лента на катушке
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 150В |
| Ток стока макс.: | 1.9A |
| Сопротивление открытого канала: | 280 мОм |
| Мощность макс.: | 2.5Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 5.5В |
| Заряд затвора: | 15нКл |
| Входная емкость: | 330пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Вес брутто: | 0.22 г. |
| Наименование: | IRF7465TRPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 150V 1.9A 8-Pin SOIC T/R |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 4000 шт |
| Корпус: | SO-8 |
Описание
Представляем вашему вниманию полевой транзистор MOSFET N-канальный IRF7465TRPBF от Infineon Technologies. Этот высокопроизводительный компонент обладает рядом ключевых характеристик, делающих его востребованным в различных областях электроники.
Транзистор IRF7465TRPBF отличается высоким напряжением сток-исток до 150В и максимальным током стока до 1.9А. Благодаря низкому сопротивлению открытого канала в 280 мОм, он демонстрирует малые потери и эффективно справляется с задачами коммутации и управления мощными нагрузками. Его максимальная рассеиваемая мощность составляет 2.5Вт.
- Напряжение исток-сток макс.: 150В
- Ток стока макс.: 1.9A
- Сопротивление открытого канала: 280 мОм
- Мощность макс.: 2.5Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В
- Заряд затвора: 15нКл
- Входная емкость: 330пФ
- Тип монтажа: Surface Mount
- Вес брутто: 0.22 г.
- Описание Eng: MOSFET N-CH 150V 1.9A 8-Pin SOIC T/R
- Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
- Нормоупаковка: 4000 шт
- Корпус: SO-8
Транзистор IRF7465TRPBF находит широкое применение в различных электронных устройствах и системах, требующих надежного и эффективного управления мощными нагрузками. Его можно встретить в импульсных источниках питания, электродвигателях, инверторах, преобразователях напряжения и других схемах силовой электроники. Благодаря своим характеристикам, он является отличным выбором для проектирования высокопроизводительных, энергоэффективных и компактных электронных решений.