IRFU120NPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 7.7А 42Вт, 0.27 Ом
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 100В |
| Ток стока макс.: | 9.4A |
| Сопротивление открытого канала: | 210 мОм |
| Мощность макс.: | 48Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 25нКл |
| Входная емкость: | 330пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-251AA |
| Вес брутто: | 1.02 г. |
| Наименование: | IRFU120NPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 75 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию высококачественный полевой транзистор MOSFET N-канального типа IRFU120NPBF от надежного производителя Infineon Technologies. Этот транзистор отличается превосходными характеристиками и широкими возможностями применения в различных электронных устройствах и системах.
Транзистор IRFU120NPBF обладает максимальным напряжением сток-исток 100В, током стока до 9.4А и сопротивлением открытого канала всего 210 мОм. Благодаря этим параметрам он способен коммутировать значительные мощности, достигающие 48Вт. Корпус TO-251AA с выводами для сквозного монтажа обеспечивает надежное подключение и простоту установки.
- Напряжение исток-сток макс.: 100В
- Ток стока макс.: 9.4А
- Сопротивление открытого канала: 210 мОм
- Мощность макс.: 48Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 4В
- Заряд затвора: 25нКл
- Входная емкость: 330пФ
- Тип монтажа: Through Hole
- Корпус: TO-251AA
- Вес брутто: 1.02 г
Транзистор IRFU120NPBF находит широкое применение в различных областях электроники, таких как импульсные источники питания, инверторы, регуляторы напряжения, электродвигатели и многие другие устройства, где требуется коммутация высоких токов и напряжений. Его надежность, долговечность и оптимальные характеристики делают его незаменимым компонентом для современных электронных систем.