NTD6416ANLT4G, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 19A DPAK
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 100В |
| Ток стока макс.: | 19A(Tc) |
| Сопротивление открытого канала: | 74 мОм @ 19А, 10В |
| Мощность макс.: | 71Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2.2В @ 250 µA |
| Заряд затвора: | 40нКл @ 10В |
| Входная емкость: | 1000пФ @ 25В |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | DPAK/TO-252AA |
| Наименование: | NTD6416ANLT4G |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 100V 19A DPAK |
| Нормоупаковка: | 2500 шт |
Описание
NTD6416ANLT4G, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 19A DPAK - высокопроизводительный электронный компонент, разработанный для использования в современных электронных устройствах и систем.
Производитель: ON Semiconductor. Компонент отличается надёжностью и точностью параметров, что делает его идеальным выбором для профессиональных приложений.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 19A(Tc) Сопротивление открытого канала: 74 мОм @ 19А, 10В Мощность макс.: 71Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Применение: Используется в промышленных устройствах, системах управления, измерительном оборудовании и прочих высокотехнологичных приложениях.
Товар поставляется в оригинальной упаковке производителя, что гарантирует его качество и сохранность при доставке.