FQD16N25CTM, Транзистор полевой N-канальный 250В 16А 270 мОм
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 250В |
| Ток стока макс.: | 16A |
| Сопротивление открытого канала: | 270 мОм |
| Мощность макс.: | 160Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 53.5нКл |
| Входная емкость: | 1080пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | DPAK/TO-252AA |
| Вес брутто: | 0.6 г. |
| Наименование: | FQD16N25CTM |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 250V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
| Тип упаковки: | Amunition Pack (лента в коробке) |
| Нормоупаковка: | 2500 шт. |
Описание
FQD16N25CTM, Транзистор полевой N-канальный 250В 16А 270 мОм - проверенный и надёжный электронный компонент для профессионального применения.
Спецификация:
- Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 270 мОм Мощность макс.: 160Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Производитель: ON Semiconductor. Компонент отвечает всем требованиям стандартов качества и может использоваться как в новых разработках, так и при замене вышедших из строя элементов.
Применение: Широко используется в электропитании, сигнальных цепях, системах управления и защиты электрических устройств.