IRF6811STRPBF, Транзистор полевой N-канальный 25В 19A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 25В |
| Ток стока макс.: | 19A |
| Сопротивление открытого канала: | 3.7 мОм |
| Мощность макс.: | 2.1Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2.1В |
| Заряд затвора: | 17нКл |
| Входная емкость: | 1590пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Наименование: | IRF6811STRPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N CH 25V 19A DIRECTFET |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 1 шт |
| Корпус: | DIRECTFET[тм] SQ |
Описание
IRF6811STRPBF, Транзистор полевой N-канальный 25В 19A - проверенный и надёжный электронный компонент для профессионального применения.
Спецификация:
- Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 3.7 мОм Мощность макс.: 2.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: Infineon Technologies. Компонент отвечает всем требованиям стандартов качества и может использоваться как в новых разработках, так и при замене вышедших из строя элементов.
Применение: Широко используется в электропитании, сигнальных цепях, системах управления и защиты электрических устройств.