Представляем вашему вниманию транзистор IRF8707TRPBF от производителя Infineon Technologies. Данный полевой MOSFET транзистор с N-каналом предназначен для широкого спектра применений в электронной промышленности. Благодаря своим высоким рабочим характеристикам, этот компонент станет незаменимым помощником при создании различных электронных устройств.

Основные технические характеристики IRF8707TRPBF:

• Напряжение исток-сток макс.: 30В
• Ток стока макс.: 11A
• Сопротивление открытого канала: 11.9 мОм
• Мощность макс.: 2.5Вт
• Тип транзистора: N-канал
• Особенности: Logic Level Gate
• Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В
• Заряд затвора: 9.3нКл
• Входная емкость: 760пФ
• Тип монтажа: Surface Mount
• Корпус: SOIC8
• Вес брутто: 0.13 г
• Описание Eng: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC, 2.5W
• Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
• Нормоупаковка: 4000 шт

Транзистор IRF8707TRPBF находит широкое применение в различных областях электроники, таких как импульсные источники питания, регуляторы напряжения, системы управления двигателями, коммутирующие цепи и многое другое. Его высокая надежность и эффективность делают его идеальным выбором для инженеров, стремящихся к созданию надежных и энергоэффективных устройств.