Представляем вашему вниманию высокопроизводительный полевой транзистор MOSFET N-канального типа IPU80R1K4P7AKMA1 от компании Infineon Technologies. Данный компонент отличается надежностью, высокой эффективностью и широким диапазоном рабочих параметров, что делает его востребованным решением для использования в различных электронных устройствах.

Транзистор IPU80R1K4P7AKMA1 характеризуется максимальным напряжением сток-исток 800В, максимальным током стока 4А и сопротивлением открытого канала всего 1.4 Ом. Благодаря этим техническим характеристикам, данный MOSFET-транзистор может применяться в качестве ключевого коммутирующего элемента в различных силовых схемах, преобразователях напряжения, импульсных источниках питания и других устройствах.

• Напряжение исток-сток макс.: 800В
• Ток стока макс.: 4A
• Сопротивление открытого канала: 1.4 Ом
• Мощность макс.: 32Вт
• Тип транзистора: N-канал
• Пороговое напряжение включения макс.: ±20В
• Заряд затвора: 10.05нКл
• Входная емкость: 250пФ
• Тип монтажа: Through Hole
• Корпус: TO-251
• Вес брутто: 0.75 г
• Описание Eng: MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
• Тип упаковки: Tube (туба)
• Нормоупаковка: 75 шт

Транзистор IPU80R1K4P7AKMA1 от Infineon Technologies находит широкое применение в различных областях электроники, таких как силовая электроника, импульсные источники питания, инверторы, электроприводы, бытовая техника и многие другие. Благодаря своим техническим характеристикам, он является надежным и эффективным решением для использования в современных электронных устройствах.