FDT86246, Транзистор полевой N-канальный 150В 2A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 150В |
| Ток стока макс.: | 2A |
| Сопротивление открытого канала: | 236 мОм |
| Мощность макс.: | 1Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 4нКл |
| Входная емкость: | 215пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Наименование: | FDT86246 |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 150V 2A SOT-223 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 4000 шт. |
| Корпус: | SOT-223 |
Описание
FDT86246, Транзистор полевой N-канальный 150В 2A - проверенный и надёжный электронный компонент для профессионального применения.
Спецификация:
- Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 2A Сопротивление открытого канала: 236 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: ON Semiconductor. Компонент отвечает всем требованиям стандартов качества и может использоваться как в новых разработках, так и при замене вышедших из строя элементов.
Применение: Широко используется в электропитании, сигнальных цепях, системах управления и защиты электрических устройств.