IXTY01N100D, Полевой транзистор N-канальный 1000В 0.1A TO-252AA
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | IXYS Corporation |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 1000В (1kВ) |
| Ток стока макс.: | 100мА(Tc) |
| Сопротивление открытого канала: | 110 Ом @ 50mА, 0В |
| Мощность макс.: | 1.1Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Depletion Mode |
| Входная емкость: | 120пФ @ 25В |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | DPAK/TO-252AA |
| Наименование: | IXTY01N100D |
| Производитель: | IXYS Corporation |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-252AA |
| Нормоупаковка: | 1 шт. |
Описание
Компонент IXTY01N100D, Полевой транзистор N-канальный 1000В 0.1A TO-252AA - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.
Ключевые характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 1000В (1kВ) Ток стока макс.: 100мА(Tc) Сопротивление открытого канала: 110 Ом @ 50mА, 0В Мощность макс.: 1.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Depletion Mode
Производитель: IXYS Corporation. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.
Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.