IRFR2905ZTRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 59A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 55В |
| Ток стока макс.: | 42A |
| Сопротивление открытого канала: | 14.5 мОм |
| Мощность макс.: | 110Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 44нКл |
| Входная емкость: | 1380пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | DPAK/TO-252AA |
| Вес брутто: | 0.64 г. |
| Наименование: | IRFR2905ZTRPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH Si 55V 59A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 2000 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию мощный полевой транзистор IRFR2905ZTRPBF от авторитетного производителя Infineon Technologies. Данная модель является высокопроизводительным N-канальным MOSFET-транзистором, предназначенным для широкого спектра применений в электронных устройствах. Благодаря своим превосходным техническим характеристикам и надежной конструкции, этот транзистор является отличным выбором для инженеров и энтузиастов, занимающихся разработкой и модернизацией различных электронных схем.
Ключевые характеристики транзистора IRFR2905ZTRPBF:
- Напряжение исток-сток макс.: 55В
- Ток стока макс.: 42A
- Сопротивление открытого канала: 14.5 мОм
- Мощность макс.: 110Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 4В
- Заряд затвора: 44нКл
- Входная емкость: 1380пФ
- Тип монтажа: Surface Mount
- Корпус: DPAK/TO-252AA
- Вес брутто: 0.64 г
- Описание Eng: MOSFET N-CH Si 55V 59A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
- Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
- Нормоупаковка: 2000 шт
Транзистор IRFR2905ZTRPBF от Infineon Technologies находит широкое применение в различных электронных устройствах, таких как импульсные источники питания, инверторы, регуляторы напряжения, приводы двигателей и многие другие. Его высокая производительность, низкое сопротивление открытого канала и большой ток стока делают его идеальным выбором для схем с высокой мощностью. Благодаря корпусу DPAK, транзистор легко интегрируется в компактные конструкции, обеспечивая эффективное распределение тепла и надежную работу.