IRF3205ZSTRLPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 110A 170Вт 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 55В |
| Ток стока макс.: | 75A |
| Сопротивление открытого канала: | 6.5 мОм |
| Мощность макс.: | 170Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 110нКл |
| Входная емкость: | 3450пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | D2Pak (TO-263) |
| Вес брутто: | 1.2 г. |
| Наименование: | IRF3205ZSTRLPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 800 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию мощный N-канальный полевой транзистор MOSFET от компании Infineon Technologies - IRF3205ZSTRLPBF. Этот высокопроизводительный компонент предназначен для широкого спектра применений в современной электронике, от систем управления двигателями до высокочастотных преобразователей и инверторов.
Ключевые характеристики данного транзистора включают в себя:
- Напряжение исток-сток макс.: 55В
- Ток стока макс.: 75А
- Сопротивление открытого канала: 6.5 мОм
- Мощность макс.: 170Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 4В
- Заряд затвора: 110нКл
- Входная емкость: 3450пФ
- Тип монтажа: Surface Mount
- Корпус: D2Pak (TO-263)
- Вес брутто: 1.2 г
- Описание Eng: MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
- Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
- Нормоупаковка: 800 шт
Транзистор IRF3205ZSTRLPBF находит широкое применение в различных областях электроники, включая системы управления электродвигателями, источники питания высокой мощности, инверторы, сварочное оборудование и многое другое. Его высокие токовые и мощностные характеристики, а также низкое сопротивление открытого канала делают его идеальным выбором для задач, требующих эффективной коммутации и управления мощными электрическими нагрузками.