IRFHS8242TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 9.9A 6-Pin PQFN EP лента на катушке
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 25В |
| Ток стока макс.: | 9.9A |
| Сопротивление открытого канала: | 13 мОм |
| Мощность макс.: | 2.1Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2.35В |
| Заряд затвора: | 10.4нКл |
| Входная емкость: | 653пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Вес брутто: | 0.04 г. |
| Наименование: | IRFHS8242TRPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 25V 9.9A 6-Pin PQFN EP T/R |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 4000 шт |
| Корпус: | PQFN6-(2x2) |
Описание
Представляем вашему вниманию транзистор IRFHS8242TRPBF от компании Infineon Technologies - высококачественный N-канальный полевой MOSFET-транзистор, предназначенный для широкого спектра электронных приложений. Этот транзистор отличается надежностью, высокой производительностью и энергоэффективностью, что делает его идеальным решением для использования в различных схемах и устройствах.
Ключевые характеристики транзистора IRFHS8242TRPBF:
- Напряжение исток-сток макс.: 25В
- Ток стока макс.: 9.9A
- Сопротивление открытого канала: 13 мОм
- Мощность макс.: 2.1Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Особенности: Logic Level Gate
- Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В
- Заряд затвора: 10.4нКл
- Входная емкость: 653пФ
- Тип монтажа: Surface Mount
- Вес брутто: 0.04 г.
- Описание Eng: MOSFET N-CH 25V 9.9A 6-Pin PQFN EP T/R
- Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
- Нормоупаковка: 4000 шт
- Корпус: PQFN6-(2x2)
Транзистор IRFHS8242TRPBF от Infineon Technologies находит широкое применение в различных областях электроники, включая преобразователи питания, управление двигателями, системы управления освещением, бытовую технику и многое другое. Благодаря своим характеристикам, он является надежным и эффективным решением для реализации различных электронных схем и устройств.