Представляем вашему вниманию мощный полевой транзистор MOSFET N-канала от компании Infineon Technologies - IRFR13N20DTRPBF. Этот высокопроизводительный компонент отличается надежностью, долговечностью и широкими возможностями применения в различных электронных устройствах.

Транзистор IRFR13N20DTRPBF обладает впечатляющими техническими характеристиками, которые делают его незаменимым выбором для многих проектов. Его основные параметры включают в себя максимальное напряжение сток-исток 200В, максимальный ток стока 13А, сопротивление открытого канала 235 мОм и максимальную мощность 110Вт.

• Напряжение исток-сток макс.: 200В
• Ток стока макс.: 13А
• Сопротивление открытого канала: 235 мОм
• Мощность макс.: 110Вт
• Тип транзистора: N-канал
• Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В
• Заряд затвора: 38нКл
• Входная емкость: 830пФ
• Тип монтажа: Surface Mount
• Корпус: DPAK/TO-252AA
• Вес брутто: 0.5 г
• Описание Eng: MOSFET N-CH 200V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
• Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
• Нормоупаковка: 2000 шт

Транзистор IRFR13N20DTRPBF идеально подходит для использования в различных приложениях, где требуется высокая мощность и надежность. Он широко применяется в схемах управления двигателями, источниках питания, инверторах, преобразователях напряжения и других устройствах, где необходимы мощные ключевые элементы. Благодаря своим техническим характеристикам, этот транзистор является отличным выбором для инженеров, разработчиков и энтузиастов электроники.