IRFL4315TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 2.6A автомобильного применения 4-Pin(3+Tab) SOT-223 лента на катушке
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 150В |
| Ток стока макс.: | 2.6A |
| Сопротивление открытого канала: | 185 мОм |
| Мощность макс.: | 2.8Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 5В |
| Заряд затвора: | 19нКл |
| Входная емкость: | 420пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOT-223 |
| Вес брутто: | 0.24 г. |
| Наименование: | IRFL4315TRPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 150V 2.6A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 2500 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию полевой транзистор MOSFET N-канальный IRFL4315TRPBF от компании Infineon Technologies. Данная модель разработана специально для автомобильной электроники и отличается высокой надежностью, эффективностью и производительностью.
Транзистор IRFL4315TRPBF обладает следующими ключевыми характеристиками:
- Напряжение исток-сток макс.: 150В
- Ток стока макс.: 2.6A
- Сопротивление открытого канала: 185 мОм
- Мощность макс.: 2.8Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 5В
- Заряд затвора: 19нКл
- Входная емкость: 420пФ
- Тип монтажа: Surface Mount
- Корпус: SOT-223
- Вес брутто: 0.24 г
- Описание на английском: MOSFET N-CH 150V 2.6A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
- Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
- Нормоупаковка: 2500 шт
Транзистор IRFL4315TRPBF от Infineon Technologies идеально подходит для широкого спектра автомобильных приложений, таких как управление двигателями, коммутация силовых цепей, защита от перегрузок и многое другое. Благодаря своим техническим характеристикам, он обеспечивает высокую производительность, надежность и энергоэффективность, что делает его незаменимым компонентом для современной автомобильной электроники.