FDFM2P110, Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 3.5 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 20В |
| Ток стока макс.: | 3.5A |
| Сопротивление открытого канала: | 140 мОм |
| Мощность макс.: | 800мВт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Особенности: | Diode (Isolated) |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 1.5В |
| Заряд затвора: | 4нКл |
| Входная емкость: | 280пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Наименование: | FDFM2P110 |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 20V 3.5A 3X3 MLP |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт. |
| Корпус: | MicroFET 3x3mm |
Описание
Техническое описание: FDFM2P110, Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 3.5 А. Категория: электронные компоненты. Производитель: ON Semiconductor.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Тип монтажа: Surface Mount
- Тип транзистора: P-канал
- Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
- Ток стока макс.: 3.5A
- Входная емкость: 280пФ
- Заряд затвора: 4нКл
- Корпус: MicroFET 3x3mm
- Мощность макс.: 800мВт