Представляем вашему вниманию флэш-память Micron MT29F2G08ABAEAWP:E - высокопроизводительное решение для широкого спектра электронных устройств. Данная микросхема обладает архитектурой И-НЕ с объёмом памяти 2 Гбит и предназначена для работы на напряжении 3,3 В.

Ключевые характеристики этого продукта:

• Архитектура: SLC NAND Flash Parallel
• Объём памяти: 2 Гбит (256M x 8)
• Напряжение питания: 3,3 В
• Корпус: TSOP48
• Нормоупаковка: 960 шт

Данная флэш-память находит применение в широком спектре электронных устройств, таких как промышленные контроллеры, системы хранения данных, телекоммуникационное оборудование, автомобильная электроника и многое другое. Благодаря высокой надёжности, производительности и энергоэффективности, микросхема MT29F2G08ABAEAWP:E является отличным выбором для современных встраиваемых систем и других приложений, где требуется долговременное и безотказное хранение данных.