Представляем вашему вниманию высокопроизводительный N-канальный полевой транзистор MOSFET IRFR1010ZTRPBF от компании Infineon Technologies. Этот компонент отличается высокой надежностью, малым сопротивлением открытого канала и способностью выдерживать значительные токи и напряжения, что делает его востребованным в различных областях электроники.

Транзистор IRFR1010ZTRPBF обладает следующими ключевыми характеристиками:

• Напряжение исток-сток макс.: 55В
• Ток стока макс.: 42A
• Сопротивление открытого канала: 7.5 мОм
• Мощность макс.: 140Вт
• Тип транзистора: N-канал
• Пороговое напряжение включения макс.: 4В
• Заряд затвора: 95нКл
• Входная емкость: 2840пФ
• Тип монтажа: Surface Mount
• Корпус: DPAK/TO-252AA

Транзистор IRFR1010ZTRPBF находит широкое применение в различных областях электроники, таких как импульсные источники питания, преобразователи напряжения, устройства плавного пуска, управление двигателями и другие приложения, требующие высокой мощности и надежности. Его компактный корпус DPAK и поверхностный монтаж делают его удобным для использования в современных электронных устройствах.