IRF7495TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 7.3A 8-Pin SOIC лента на катушке
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 100В |
| Ток стока макс.: | 7.3A |
| Сопротивление открытого канала: | 22 мОм |
| Мощность макс.: | 2.5Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 51нКл |
| Входная емкость: | 1530пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Вес брутто: | 0.25 г. |
| Наименование: | IRF7495TRPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin SOIC T/R |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 4000 шт |
| Корпус: | SO-8 |
Описание
Представляем вашему вниманию высокопроизводительный полевой транзистор N-канала IRF7495TRPBF от Infineon Technologies. Этот компонент обладает отличными характеристиками и широкими возможностями применения в современной электронике.
Транзистор IRF7495TRPBF отличается высоким напряжением сток-исток до 100В, а также впечатляющим током стока до 7.3А. Благодаря низкому сопротивлению открытого канала всего 22 мОм, этот MOSFET-транзистор демонстрирует высокую эффективность и малые потери.
- Напряжение исток-сток макс.: 100В
- Ток стока макс.: 7.3А
- Сопротивление открытого канала: 22 мОм
- Мощность макс.: 2.5Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Особенности: Logic Level Gate
- Пороговое напряжение включения макс.: 4В
- Заряд затвора: 51нКл
- Входная емкость: 1530пФ
- Тип монтажа: Surface Mount
- Вес брутто: 0.25 г
- Описание Eng: MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin SOIC T/R
- Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
- Нормоупаковка: 4000 шт
- Корпус: SO-8
Данный транзистор IRF7495TRPBF от Infineon Technologies идеально подходит для использования в широком спектре электронных устройств и систем. Его можно применять в импульсных источниках питания, инверторах, коммутаторах, усилителях мощности и других высоковольтных и высокотоковых схемах. Благодаря оптимальному сочетанию параметров и компактному корпусу, этот MOSFET-транзистор является отличным выбором для современных энергоэффективных решений.