• Воронеж, Московский проспект, 114В, оф. 408

IRF7495TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 7.3A 8-Pin SOIC лента на катушке

Нет изображения
Категория:Одиночные MOSFET транзисторы
Производитель:Infineon Technologies
Наличие:В наличии
Напряжение исток-сток макс.:100В
Ток стока макс.:7.3A
Сопротивление открытого канала:22 мОм
Мощность макс.:2.5Вт
Тип транзистора:N-канал
Особенности:Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:51нКл
Входная емкость:1530пФ
Тип монтажа:Surface Mount
Вес брутто:0.25 г.
Наименование:IRF7495TRPBF
Производитель:Infineon Technologies
Описание Eng:MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin SOIC T/R
Тип упаковки:Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:4000 шт
Корпус:SO-8

Описание

Представляем вашему вниманию высокопроизводительный полевой транзистор N-канала IRF7495TRPBF от Infineon Technologies. Этот компонент обладает отличными характеристиками и широкими возможностями применения в современной электронике.

Транзистор IRF7495TRPBF отличается высоким напряжением сток-исток до 100В, а также впечатляющим током стока до 7.3А. Благодаря низкому сопротивлению открытого канала всего 22 мОм, этот MOSFET-транзистор демонстрирует высокую эффективность и малые потери.

  • Напряжение исток-сток макс.: 100В
  • Ток стока макс.: 7.3А
  • Сопротивление открытого канала: 22 мОм
  • Мощность макс.: 2.5Вт
  • Тип транзистора: N-канал
  • Особенности: Logic Level Gate
  • Пороговое напряжение включения макс.:
  • Заряд затвора: 51нКл
  • Входная емкость: 1530пФ
  • Тип монтажа: Surface Mount
  • Вес брутто: 0.25 г
  • Описание Eng: MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin SOIC T/R
  • Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
  • Нормоупаковка: 4000 шт
  • Корпус: SO-8

Данный транзистор IRF7495TRPBF от Infineon Technologies идеально подходит для использования в широком спектре электронных устройств и систем. Его можно применять в импульсных источниках питания, инверторах, коммутаторах, усилителях мощности и других высоковольтных и высокотоковых схемах. Благодаря оптимальному сочетанию параметров и компактному корпусу, этот MOSFET-транзистор является отличным выбором для современных энергоэффективных решений.