IRFS3306TRLPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 60В |
| Ток стока макс.: | 120A |
| Сопротивление открытого канала: | 4.2 мОм |
| Мощность макс.: | 230Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 120нКл |
| Входная емкость: | 4520пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | D2Pak (TO-263) |
| Вес брутто: | 1.84 г. |
| Наименование: | IRFS3306TRLPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 800 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию высокопроизводительный полевой транзистор MOSFET N-канала от компании Infineon Technologies - IRFS3306TRLPBF. Этот транзистор обладает превосходными характеристиками, позволяющими использовать его в широком спектре электронных устройств и приложений.
Ключевые характеристики данного компонента включают в себя:
- Напряжение исток-сток макс.: 60В
- Ток стока макс.: 120A
- Сопротивление открытого канала: 4.2 мОм
- Мощность макс.: 230Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 4В
- Заряд затвора: 120нКл
- Входная емкость: 4520пФ
- Тип монтажа: Surface Mount
- Корпус: D2Pak (TO-263)
- Вес брутто: 1.84 г
- Описание на английском: Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
- Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
- Нормоупаковка: 800 шт
Данный транзистор IRFS3306TRLPBF находит широкое применение в различных областях электроники, таких как импульсные источники питания, сварочное оборудование, инверторы для солнечных панелей, электродвигатели, а также в других приложениях, где требуются высокие токи и надежность работы. Благодаря своим превосходным характеристикам, этот транзистор является отличным выбором для инженеров и разработчиков, стремящихся к повышению эффективности и производительности своих устройств.