• Воронеж, Московский проспект, 114В, оф. 408

IRFS3306TRLPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке

Нет изображения
Категория:Одиночные MOSFET транзисторы
Производитель:Infineon Technologies
Наличие:В наличии
Напряжение исток-сток макс.:60В
Ток стока макс.:120A
Сопротивление открытого канала:4.2 мОм
Мощность макс.:230Вт
Тип транзистора:N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:120нКл
Входная емкость:4520пФ
Тип монтажа:Surface Mount
Корпус:D2Pak (TO-263)
Вес брутто:1.84 г.
Наименование:IRFS3306TRLPBF
Производитель:Infineon Technologies
Описание Eng:Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Тип упаковки:Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:800 шт

Описание

Представляем вашему вниманию высокопроизводительный полевой транзистор MOSFET N-канала от компании Infineon Technologies - IRFS3306TRLPBF. Этот транзистор обладает превосходными характеристиками, позволяющими использовать его в широком спектре электронных устройств и приложений.

Ключевые характеристики данного компонента включают в себя:

  • Напряжение исток-сток макс.: 60В
  • Ток стока макс.: 120A
  • Сопротивление открытого канала: 4.2 мОм
  • Мощность макс.: 230Вт
  • Тип транзистора: N-канал
  • Пороговое напряжение включения макс.: 4В
  • Заряд затвора: 120нКл
  • Входная емкость: 4520пФ
  • Тип монтажа: Surface Mount
  • Корпус: D2Pak (TO-263)
  • Вес брутто: 1.84 г
  • Описание на английском: Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
  • Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
  • Нормоупаковка: 800 шт

Данный транзистор IRFS3306TRLPBF находит широкое применение в различных областях электроники, таких как импульсные источники питания, сварочное оборудование, инверторы для солнечных панелей, электродвигатели, а также в других приложениях, где требуются высокие токи и надежность работы. Благодаря своим превосходным характеристикам, этот транзистор является отличным выбором для инженеров и разработчиков, стремящихся к повышению эффективности и производительности своих устройств.