IRLR3636TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 99А 143Вт
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 60В |
| Ток стока макс.: | 50A |
| Сопротивление открытого канала: | 6.8 мОм |
| Мощность макс.: | 143Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2.5В |
| Заряд затвора: | 49нКл |
| Входная емкость: | 3779пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | DPAK/TO-252AA |
| Вес брутто: | 0.63 г. |
| Наименование: | IRLR3636TRPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 2000 шт |
Описание
Транзистор IRLR3636TRPBF от Infineon Technologies – это мощный полевой N-канальный MOSFET-транзистор, предназначенный для широкого спектра применений в электронике. Этот компонент отличается высокой производительностью, надежностью и эффективностью, что делает его отличным выбором для использования в различных устройствах и системах.
Основные характеристики данного транзистора включают в себя максимальное напряжение сток-исток 60В, максимальный ток стока 50А и сопротивление открытого канала всего 6.8 мОм. Эти параметры позволяют использовать IRLR3636TRPBF в высокомощных схемах, обеспечивая эффективное управление и коммутацию мощных нагрузок.
- Напряжение исток-сток макс.: 60В
- Ток стока макс.: 50А
- Сопротивление открытого канала: 6.8 мОм
- Мощность макс.: 143Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
- Заряд затвора: 49нКл
- Входная емкость: 3779пФ
- Тип монтажа: Surface Mount
- Корпус: DPAK/TO-252AA
Транзистор IRLR3636TRPBF идеально подходит для использования в различных высокомощных электронных устройствах, таких как импульсные источники питания, инверторы, приводы электродвигателей, системы управления освещением и многое другое. Благодаря своим характеристикам, он обеспечивает эффективное управление и коммутацию мощных нагрузок, а также повышает надежность и производительность конечных устройств.