• Воронеж, Московский проспект, 114В, оф. 408

IRLR3636TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 99А 143Вт

Нет изображения
Категория:Одиночные MOSFET транзисторы
Производитель:Infineon Technologies
Наличие:В наличии
Напряжение исток-сток макс.:60В
Ток стока макс.:50A
Сопротивление открытого канала:6.8 мОм
Мощность макс.:143Вт
Тип транзистора:N-канал
Особенности:Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:2.5В
Заряд затвора:49нКл
Входная емкость:3779пФ
Тип монтажа:Surface Mount
Корпус:DPAK/TO-252AA
Вес брутто:0.63 г.
Наименование:IRLR3636TRPBF
Производитель:Infineon Technologies
Описание Eng:MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Тип упаковки:Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:2000 шт

Описание

Транзистор IRLR3636TRPBF от Infineon Technologies – это мощный полевой N-канальный MOSFET-транзистор, предназначенный для широкого спектра применений в электронике. Этот компонент отличается высокой производительностью, надежностью и эффективностью, что делает его отличным выбором для использования в различных устройствах и системах.

Основные характеристики данного транзистора включают в себя максимальное напряжение сток-исток 60В, максимальный ток стока 50А и сопротивление открытого канала всего 6.8 мОм. Эти параметры позволяют использовать IRLR3636TRPBF в высокомощных схемах, обеспечивая эффективное управление и коммутацию мощных нагрузок.

  • Напряжение исток-сток макс.: 60В
  • Ток стока макс.: 50А
  • Сопротивление открытого канала: 6.8 мОм
  • Мощность макс.: 143Вт
  • Тип транзистора: N-канал
  • Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
  • Заряд затвора: 49нКл
  • Входная емкость: 3779пФ
  • Тип монтажа: Surface Mount
  • Корпус: DPAK/TO-252AA

Транзистор IRLR3636TRPBF идеально подходит для использования в различных высокомощных электронных устройствах, таких как импульсные источники питания, инверторы, приводы электродвигателей, системы управления освещением и многое другое. Благодаря своим характеристикам, он обеспечивает эффективное управление и коммутацию мощных нагрузок, а также повышает надежность и производительность конечных устройств.