SI1022R-T1-GE3, Транзистор полевой N-канальный 60В 330мА
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Vishay |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 60В |
| Ток стока макс.: | 330мА |
| Сопротивление открытого канала: | 1.25 Ом |
| Мощность макс.: | 250мВт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2.5В |
| Заряд затвора: | 0.6нКл |
| Входная емкость: | 30пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SC-75 |
| Наименование: | SI1022R-T1-GE3 |
| Производитель: | Vishay |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 60V 330MA SC-75A |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт. |
Описание
SI1022R-T1-GE3, Транзистор полевой N-канальный 60В 330мА - проверенный и надёжный электронный компонент для профессионального применения.
Спецификация:
- Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 330мА Сопротивление открытого канала: 1.25 Ом Мощность макс.: 250мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: Vishay. Компонент отвечает всем требованиям стандартов качества и может использоваться как в новых разработках, так и при замене вышедших из строя элементов.
Применение: Широко используется в электропитании, сигнальных цепях, системах управления и защиты электрических устройств.