• Воронеж, Московский проспект, 114В, оф. 408

IRF520NSTRLPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 9.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке

Нет изображения
Категория:Одиночные MOSFET транзисторы
Производитель:Infineon Technologies
Наличие:В наличии
Напряжение исток-сток макс.:100В
Ток стока макс.:9.7A
Сопротивление открытого канала:200 мОм
Мощность макс.:3.8Вт
Тип транзистора:N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:25нКл
Входная емкость:330пФ
Тип монтажа:Surface Mount
Корпус:D2Pak (TO-263)
Вес брутто:1.35 г.
Наименование:IRF520NSTRLPBF
Производитель:Infineon Technologies
Описание Eng:MOSFET N-CH 100V 9.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Тип упаковки:Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:200 шт

Описание

Представляем вашему вниманию транзистор полевой MOSFET N-канальный от компании Infineon Technologies – IRF520NSTRLPBF. Этот высокопроизводительный компонент отличается надежностью, стабильностью характеристик и широкими возможностями применения в электронных устройствах. Его основные параметры делают его незаменимым выбором для разработчиков и инженеров, работающих в области силовой электроники.

Ключевые характеристики данного транзистора:

  • Напряжение исток-сток макс.: 100В
  • Ток стока макс.: 9.7A
  • Сопротивление открытого канала: 200 мОм
  • Мощность макс.: 3.8Вт
  • Тип транзистора: N-канал
  • Пороговое напряжение включения макс.: 4В
  • Заряд затвора: 25нКл
  • Входная емкость: 330пФ
  • Тип монтажа: Surface Mount
  • Корпус: D2Pak (TO-263)
  • Вес брутто: 1.35 г.
  • Описание Eng: MOSFET N-CH 100V 9.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
  • Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
  • Нормоупаковка: 200 шт

Транзистор IRF520NSTRLPBF отлично подходит для использования в различных электронных схемах, включая импульсные источники питания, регуляторы напряжения, инверторы, коммутаторы и другие устройства, где требуются надежные и эффективные ключевые элементы. Благодаря своим характеристикам, он может быть применен в широком спектре областей, от бытовой электроники до промышленного оборудования и автомобильной электроники.