IRF7809AVTRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 13.3A 8-Pin SOIC лента на катушке
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 13.3A |
| Сопротивление открытого канала: | 9 мОм |
| Мощность макс.: | 2.5Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 1В |
| Заряд затвора: | 62нКл |
| Входная емкость: | 3780пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Вес брутто: | 0.23 г. |
| Наименование: | IRF7809AVTRPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-Pin SOIC T/R |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 4000 шт |
| Корпус: | SO-8 |
Описание
Представляем вашему вниманию транзистор полевой MOSFET N-канальный IRF7809AVTRPBF от производителя Infineon Technologies. Данная модель является одним из ключевых компонентов в линейке одиночных MOSFET транзисторов и отличается высокой производительностью, надежностью и широким спектром применения.
Транзистор IRF7809AVTRPBF обладает следующими техническими характеристиками:
- Напряжение исток-сток макс.: 30В
- Ток стока макс.: 13.3A
- Сопротивление открытого канала: 9 мОм
- Мощность макс.: 2.5Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Особенности: Logic Level Gate
- Пороговое напряжение включения макс.: 1В
- Заряд затвора: 62нКл
- Входная емкость: 3780пФ
- Тип монтажа: Surface Mount
- Вес брутто: 0.23 г
- Описание Eng: MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-Pin SOIC T/R
- Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
- Нормоупаковка: 4000 шт
- Корпус: SO-8
Транзистор IRF7809AVTRPBF находит широкое применение в различных областях электроники, таких как импульсные источники питания, инверторы, источники бесперебойного питания, системы управления двигателями и многое другое. Благодаря своим высоким техническим характеристикам, он является оптимальным решением для задач, требующих высокой производительности, надежности и энергоэффективности.