Представляем вашему вниманию высокопроизводительный N-канальный полевой транзистор MOSFET IRLR3410TRLPBF от ведущего производителя Infineon Technologies. Этот компонент отличается надежностью, высокой плотностью тока и эффективностью, что делает его идеальным выбором для широкого спектра электронных устройств и систем силовой электроники.

Ключевые характеристики транзистора IRLR3410TRLPBF:

• Напряжение исток-сток макс.: 100В
• Ток стока макс.: 17A
• Сопротивление открытого канала: 105 мОм
• Мощность макс.: 79Вт
• Тип транзистора: N-канал
• Особенности: Logic Level Gate
• Пороговое напряжение включения макс.: 2В
• Заряд затвора: 34нКл
• Входная емкость: 800пФ
• Тип монтажа: Surface Mount
• Корпус: DPAK/TO-252AA
• Вес брутто: 0.36 г.
• Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
• Нормоупаковка: 3000 шт

Транзистор IRLR3410TRLPBF находит широкое применение в различных областях электроники, включая импульсные источники питания, инверторы, преобразователи постоянного тока, сварочное оборудование, электродвигатели и другие устройства, где требуется высокая мощность и эффективность. Благодаря своим характеристикам, этот транзистор является отличным выбором для инженеров, занимающихся разработкой и модернизацией современных электронных систем.