• Воронеж, Московский проспект, 114В, оф. 408

IRLL3303TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 4.6А SOT223 лента на катушке

Нет изображения
Категория:Одиночные MOSFET транзисторы
Производитель:Infineon Technologies
Наличие:В наличии
Напряжение исток-сток макс.:30В
Ток стока макс.:4.6A
Сопротивление открытого канала:31 мОм
Мощность макс.:1Вт
Тип транзистора:N-канал
Особенности:Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:50нКл
Входная емкость:840пФ
Тип монтажа:Surface Mount
Корпус:SOT-223
Вес брутто:0.85 г.
Наименование:IRLL3303TRPBF
Производитель:Infineon Technologies
Описание Eng:MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Тип упаковки:Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:2500 шт

Описание

Представляем вашему вниманию мощный и универсальный полевой транзистор IRLL3303TRPBF от ведущего производителя электронных компонентов Infineon Technologies. Данный N-канальный MOSFET транзистор обладает широким спектром характеристик, которые делают его незаменимым элементом в различных электронных схемах и устройствах.

Ключевые особенности этого транзистора включают в себя максимальное напряжение исток-сток до 30В, максимальный ток стока до 4.6А, низкое сопротивление открытого канала всего 31 мОм, а также возможность управления логическими уровнями напряжения. Транзистор имеет корпус типа SOT-223, что делает его компактным и удобным для монтажа на печатные платы.

  • Напряжение исток-сток макс.: 30В
  • Ток стока макс.: 4.6A
  • Сопротивление открытого канала: 31 мОм
  • Мощность макс.: 1Вт
  • Тип транзистора: N-канал
  • Особенности: Logic Level Gate
  • Пороговое напряжение включения макс.: 1В
  • Заряд затвора: 50нКл
  • Входная емкость: 840пФ
  • Тип монтажа: Surface Mount
  • Корпус: SOT-223
  • Вес брутто: 0.85 г

Благодаря своим характеристикам, данный транзистор IRLL3303TRPBF может применяться в широком спектре электронных устройств, таких как импульсные источники питания, двигатели постоянного тока, усилители мощности, переключающие схемы и многие другие. Его надежность и высокая производительность делают его идеальным выбором для современных электронных систем.