IRFH5015TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 31мОм 54нКл PQFN 5x6мм
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 150В |
| Ток стока макс.: | 10A |
| Сопротивление открытого канала: | 31 мОм |
| Мощность макс.: | 3.6Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 5В |
| Заряд затвора: | 50нКл |
| Входная емкость: | 2300пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Вес брутто: | 0.18 г. |
| Наименование: | IRFH5015TRPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | Single N-Channel 150 V 31 mOhm 54 nC HEXFETВ® Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 4000 шт |
| Корпус: | PQFN 5x6 mm |
Описание
Представляем вашему вниманию IRFH5015TRPBF - высокопроизводительный N-канальный полевой транзистор MOSFET от ведущего производителя Infineon Technologies. Этот транзистор отличается высокой эффективностью, надежностью и универсальностью, что делает его незаменимым компонентом для широкого спектра электронных устройств.
Ключевые характеристики IRFH5015TRPBF:
- Напряжение исток-сток макс.: 150В
- Ток стока макс.: 10A
- Сопротивление открытого канала: 31 мОм
- Мощность макс.: 3.6Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 5В
- Заряд затвора: 50нКл
- Входная емкость: 2300пФ
- Тип монтажа: Surface Mount
- Вес брутто: 0.18 г
- Описание Eng: Single N-Channel 150 V 31 mOhm 54 nC HEXFETВ® Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm
- Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
- Нормоупаковка: 4000 шт
- Корпус: PQFN 5x6 mm
Благодаря своим выдающимся характеристикам, IRFH5015TRPBF находит широкое применение в различных областях электроники, таких как импульсные источники питания, инверторы, преобразователи напряжения, а также в промышленном и бытовом оборудовании. Этот транзистор обеспечивает высокую эффективность, надежность и долговечность при работе в самых сложных условиях.