NVTFS5116PLWFTAG, Полевой транзистор P-канальный 60В 6A автомобильного применения 8-Pin WDFN EP лента на катушке
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 60В |
| Ток стока макс.: | 6A(Ta) |
| Сопротивление открытого канала: | 52 мОм @ 7А, 10В |
| Мощность макс.: | 3.2Вт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 3В @ 250 µA |
| Заряд затвора: | 25нКл @ 10В |
| Входная емкость: | 1258пФ @ 25В |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | WDFN8 |
| Наименование: | NVTFS5116PLWFTAG |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | Trans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R |
| Нормоупаковка: | 1500 шт. |
Описание
NVTFS5116PLWFTAG, Полевой транзистор P-канальный 60В 6A автомобильного применения 8-Pin WDFN EP лента на катушке - качественный компонент с точными параметрами и надёжной конструкцией.
Производитель: ON Semiconductor. Этот компонент соответствует международным стандартам качества и прошёл все необходимые испытания.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 6A(Ta) Сопротивление открытого канала: 52 мОм @ 7А, 10В Мощность макс.: 3.2Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate
Область применения: Компонент используется в электронных системах, требующих высокой надёжности и стабильной работы в различных условиях окружающей среды.