IRL540NPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 36А 140Вт, 0.044 Ом
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 100В |
| Ток стока макс.: | 36A |
| Сопротивление открытого канала: | 44 мОм |
| Мощность макс.: | 140Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2В |
| Заряд затвора: | 74нКл |
| Входная емкость: | 1800пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220AB |
| Вес брутто: | 3.01 г. |
| Наименование: | IRL540NPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию полевой транзистор IRL540NPBF, разработанный компанией Infineon Technologies. Этот высокопроизводительный N-канальный MOSFET транзистор предназначен для широкого спектра применений, где требуется надежное и эффективное управление мощностью.
Ключевые характеристики данного транзистора включают в себя максимальное напряжение сток-исток 100В, максимальный ток стока 36А и сопротивление открытого канала всего 44 мОм. Благодаря этим параметрам, IRL540NPBF способен коммутировать значительные мощности до 140Вт, делая его идеальным выбором для таких применений, как импульсные источники питания, инверторы, приводы двигателей и другие высокомощные электронные схемы.
- Напряжение исток-сток макс.: 100В
- Ток стока макс.: 36A
- Сопротивление открытого канала: 44 мОм
- Мощность макс.: 140Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 2В
- Заряд затвора: 74нКл
- Входная емкость: 1800пФ
- Тип монтажа: Through Hole
- Корпус: TO-220AB
Благодаря своим техническим характеристикам, транзистор IRL540NPBF находит широкое применение в различных областях электроники, включая промышленную автоматизацию, бытовую технику, системы управления двигателями и многое другое. Его высокая надежность и эффективность делают его незаменимым компонентом в современных высокопроизводительных электронных схемах.