IRFR18N15DTRPBF, Транзистор полевой N-канальный 150В 18A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 150В |
| Ток стока макс.: | 18A |
| Сопротивление открытого канала: | 125 мОм |
| Мощность макс.: | 110Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 5.5В |
| Заряд затвора: | 43нКл |
| Входная емкость: | 900пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | DPAK/TO-252AA |
| Вес брутто: | 0.4 г. |
| Наименование: | IRFR18N15DTRPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 150V 18A DPAK |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 2000 шт |
Описание
IRFR18N15DTRPBF, Транзистор полевой N-канальный 150В 18A - высокопроизводительный электронный компонент, разработанный для использования в современных электронных устройствах и систем.
Производитель: Infineon Technologies. Компонент отличается надёжностью и точностью параметров, что делает его идеальным выбором для профессиональных приложений.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 125 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В
Применение: Используется в промышленных устройствах, системах управления, измерительном оборудовании и прочих высокотехнологичных приложениях.
Товар поставляется в оригинальной упаковке производителя, что гарантирует его качество и сохранность при доставке.