IRLR2908PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 30А 120Вт
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 80В |
| Ток стока макс.: | 30A |
| Сопротивление открытого канала: | 28 мОм |
| Мощность макс.: | 120Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2.5В |
| Заряд затвора: | 33нКл |
| Входная емкость: | 1890пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | DPAK/TO-252AA |
| Вес брутто: | 0.63 г. |
| Наименование: | IRLR2908PBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 80V 30A DPAK, 120W |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 75 шт |
Описание
IRLR2908PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 30А 120Вт - качественный компонент с точными параметрами и надёжной конструкцией.
Производитель: Infineon Technologies. Этот компонент соответствует международным стандартам качества и прошёл все необходимые испытания.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 28 мОм Мощность макс.: 120Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Область применения: Компонент используется в электронных системах, требующих высокой надёжности и стабильной работы в различных условиях окружающей среды.