IRFHM830TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 21A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 21А |
| Сопротивление открытого канала: | 6мОм |
| Тип транзистора: | N-канальный |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Вес брутто: | 0.21 г. |
| Наименование: | IRFHM830TRPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | Single N-Channel 30 V 6 mOhm 15 nC HEXFETВ® Power Mosfet - PQFN 3.3 x 3.3 mm |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 4000 шт |
| Корпус: | PQFN (3x3) |
Описание
IRFHM830TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 21A - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 21А Сопротивление открытого канала: 6мОм Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount Вес брутто: 0.21 г.
Производитель: Infineon Technologies. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.