IRF640NLPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18A TO-262
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 200В |
| Ток стока макс.: | 18A(Tc) |
| Сопротивление открытого канала: | 150 мОм @ 11А, 10В |
| Мощность макс.: | 150Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Standard |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В @ 250 µA |
| Заряд затвора: | 67нКл @ 10В |
| Входная емкость: | 1160пФ @ 25В |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | I2PAK |
| Наименование: | IRF640NLPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 200V 18A TO-262 |
| Нормоупаковка: | 50 шт. |
Описание
IRF640NLPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18A TO-262 - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 18A(Tc) Сопротивление открытого канала: 150 мОм @ 11А, 10В Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard
Производитель: Infineon Technologies. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.